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关键词:韩国卫二极管 快恢复二极管 IGBT模块

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“大卫DM2G100SH6A”参数说明 是否有现货： 是 ： 大卫DAWIN 类型： 增强型MOS管(N沟道) 材料： N-FET硅N沟道 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 用途： SW-REG/开关电源 导电方式： 增强型 型号： DM2G100SH6A 包装： 普通包装 “大卫DM2G100SH6A”详细介绍 IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型

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