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描述： NPT2010 GaN HEMT是为DC-2.2GHz操作优化的宽带晶体管。该设备已被设计用于CW，脉冲和线性操作，输出功率水平为100W（50 dBm）的工业标准金属陶瓷封装与螺栓法兰。

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