供应:无限制
关键词:高温四探针测量 半导体电阻率测量 电阻率测量
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RMS-1000P 系列高温薄膜/薄片 Partulab佰力博 RMS-1000P高温四探针测量系统主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，该系统采用直排四探针测量原理和单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计研发，可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗 单晶（棒料、晶片）电阻率和硅外延层、扩散层和离子注 入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻和电阻率。该系统广泛应用于高校科研院所和企业单位半导体薄膜和薄片材料电学性能研究。 功能特点 ■ 可以实现高温、真空、气氛等条件下测量薄膜方块电阻; ■ 可以实现常温，变温，恒温条件的 I-V、R-T、R-t等测量功能; ■ 可以通过输入样品的面积和厚度，软件自动计算样品的电阻率ρv; ■ 可以分析电阻率ρv与温度T的变化的曲线; ■ 可以与Keithley 2400或2600数字多用表配套; 为了*方便的研究高温条件下半导体或绝缘材料的导电性能，佰力博科技已经研发出HRMS-800G高温四探针测量系统，该系统可以测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻,,该设备按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，*于变温、真空及气氛条件下测试半导体材料电学性能的较佳测量系统。 ■ 技术规格 温度范围：室温-600°C 升温斜率：3°C /min (典型值） 显示精度：±0.1°C 控温精度：±1°C 电阻：10～106 Ω 电阻率：10～106 Ω.cm 方块电阻：10～106 Ω/□ 可测半导体材料尺寸 ：薄膜直径： Φ15～30mm 探针间距：2±0.01mm 探针压力: 0～2kg可调,较大压力约2kg 针间绝缘材料：99陶瓷或红宝石 针间绝缘电阻：≥1000MΩ 探针材料：碳化钨 数据传输：2个USB接口 RMS-1000 高温四探针测量系统HRMS-800 高温四探针测量系统HRMS-800 高温四探针测量系统
